半導體器件晶閘管全動態測試系統

一. 功能簡介

全動態測試的基本原理是在一個工頻半周內對被測元件施加半波電流，電流的平均值由元件的額定電流值決定，而在另一個半周內施加正向或反向的正弦半波阻斷電壓，測量它的動態阻斷伏安特性，它模擬了元件在整流電路中的工作情況。

全動態測試法是對元件的通態電流能力、阻斷電壓能力的一種綜合測試，已被國內廣大用戶所接受。

本試驗臺可對器件的室溫特性及正向壓降等幾個參數進行測試，試驗臺在試驗時，可根據需要對試驗時間進行設定，試驗臺有平均漏電流顯示，并具有保護功能。 

二. 技術條件：

1適用范圍：

本電源適用于300A以下的模塊型整流二極管及模塊型晶閘管的性能考核。本實驗臺的測試方法參照原行業全動態測試方法。

2動態測試的技術指標：

1）平均電流ITAV：  

低檔：約20—50A      精度±5%   分辨率1A

高檔： 約50—300A      精度±5%    分辨率1A

指針表顯示

電流波形為近似正選半波，導通角170°左右

阻斷電壓波形為底寬10mS的正弦半波

電流調節：手動調壓器

2）平均壓降：VTAV=0.1—2.5V  

精度±3%  分辨率0.01 V

指針表顯示

3）正反向不重復峰值電壓：200—3000V   

精度±5%   分辨率10V

4）正反向峰值漏電流IDRM、IRRM：0.1-20 mA  

精度±3%，分辨率0.01

保護漏電流1-20 mA  

峰值阻斷電壓、電流為數字表顯示

阻斷電壓為手動調節

5）測試頻率：50HZ

6）伏安特性具有過流保護及過流指示。

7）電源主電路開關器件采用水冷卻，保證動態考核的準確性。

8）連接被測方式：手動連接 陜西半導體測試