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源表用于MOSFET&JFET導(dǎo)通電阻測(cè)試

數(shù)量(件)

價(jià)格(元/件)

18140663476

詳細(xì)信息源表用于MOSFET&JFET導(dǎo)通電阻測(cè)試

MOSFET&JFET導(dǎo)通電阻測(cè)試國(guó)產(chǎn)源表優(yōu)勢(shì)

1、自主研發(fā),符合大環(huán)境下國(guó)內(nèi)技術(shù)自給的需求;

2、性價(jià)比高;

3、可及時(shí)與客戶溝通,為客戶提供高性價(jià)比系統(tǒng)解決方案。及時(shí)指導(dǎo)客戶編程,加速測(cè)試系統(tǒng)開發(fā)。

常見答疑:

1、 為什么你們的測(cè)量精度比不上進(jìn)口產(chǎn)品?

0.1%精度已能滿足絕大部分行業(yè)應(yīng)用,具有更高的性價(jià)比。普賽斯儀表也在研發(fā)更高精度的源表,不過(guò)價(jià)格會(huì)稍高。

2、 通道數(shù)量所體現(xiàn)的具體產(chǎn)品差異是什么?

對(duì)于很多芯片而言,往往需要多個(gè)通道的源表進(jìn)行測(cè)試。集成多個(gè)通道有利于減少系統(tǒng)體積、減少開發(fā)難度。目前普賽斯儀表臺(tái)式源表僅提供單通道。但插卡式源表可實(shí)現(xiàn)多通道。

3、 普通源表與插卡式源表的具體異同?

插卡式源表是一種無(wú)觸屏顯示的、由多種源表子卡組成的組合式儀表。子卡功能與臺(tái)式源表功能基本一致,子卡必須在特定的主機(jī)內(nèi)才能工作。插卡式源表由上位機(jī)控制,具有單位體積內(nèi)通道密度更高、可根據(jù)實(shí)際情況自由組合源表子卡等特點(diǎn),高可支持達(dá)40通道。目前已規(guī)劃單卡單通道和單卡4通道源表子卡。

4、關(guān)于軟件

S系列軟件,兼容2400和2450,對(duì)使用2400和2450搭建的已有測(cè)試系統(tǒng),可以實(shí)現(xiàn)替換,而無(wú)需修改測(cè)試系統(tǒng)軟件。

5、關(guān)于測(cè)試搭建

簡(jiǎn)易測(cè)試連接電極直接測(cè)試,其它要求可采取與探針臺(tái),測(cè)試機(jī)配套使用。

MOSFET&JFET導(dǎo)通電阻測(cè)試源表是普賽斯歷時(shí)多年打造的高精度、大動(dòng)態(tài)范圍、數(shù)字觸摸的率先國(guó)產(chǎn)化的源表,集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能,大輸出電壓達(dá)300V,小測(cè)試電流達(dá)100pA,支持四象限工作,因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中:半導(dǎo)體IC或元器件,功率器件,傳感器,有機(jī)材料與納米材料等特性測(cè)試和分析。

產(chǎn)品特點(diǎn)

Ø 5寸800*480觸摸顯示屏,全圖形化操作

Ø 內(nèi)置強(qiáng)大的功能軟件,加速用戶完成測(cè)試,如LIV、PIV

Ø 源及測(cè)量的準(zhǔn)確度為0.1%,分辨率5數(shù)位

Ø 四象限工作(源和肼),源及測(cè)量范圍:電流100pA~1A,電壓0.3mV~300V

Ø 豐富的掃描模式,支持線性掃描、指數(shù)掃描及用戶自定義掃描

Ø 支持USB存儲(chǔ),一鍵導(dǎo)出測(cè)試報(bào)告

Ø 支持多種通訊方式,RS-232、GPIB及以太網(wǎng)

MOSFET&JFET導(dǎo)通電阻測(cè)試源表詳情請(qǐng)聯(lián)系普賽斯儀表銷售專員為您解答一八一四零六六三四七六

MOSFET&JFET導(dǎo)通電阻測(cè)試源表技術(shù)參數(shù)

大輸出功率:30W,4象限源或肼模式;

源限度:電壓源:±30V(≤1A量程),±300V(≤100mA量程);

電流源:±1.05A(≤30V量程),±105mA(≤300V量程);

過(guò)量程: 105%量程,源和測(cè)量;

穩(wěn)定負(fù)載電容:<22nF;

寬帶噪聲(20MHz):2mV RMS(典型值),<20mV Vp-p(典型值);

線纜保護(hù)電壓:輸出阻抗1KΩ,輸出電壓偏移<80uV;

大采樣速率:1000 S/s;

觸發(fā):支持IO觸發(fā)輸入及輸出,觸發(fā)極性可配置;

輸出接口:前后面板香蕉頭插座輸出,同一時(shí)刻只能用前或者后面板接口;

通信口:RS-232、GPIB、以太網(wǎng);

電源:AC 100~240V 50/60Hz;

工作環(huán)境:25±10℃;

尺寸:106mm高 × 255mm寬 × 425mm長(zhǎng);

源表用于MOSFET&JFET導(dǎo)通電阻測(cè)試

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