半導體分立器件是組成集成電路的基礎，包含大量的雙端口或三端口器件，如二極管，晶體管，場效應管等。 直流I-V測試是表征微電子器件工藝及材料特性的基礎，通常使用I-V特性分析或I-V曲線來決定器件的基本參數(shù)。
分立器件I-V特性測試的主要目的是通過實驗幫助工程師提取半導體器件的基本I-V特性參數(shù)，并在整個工藝流程結束后評估器件的優(yōu)劣。在半導體制程的多個階段都有應用，如金屬互連，鍍層階段，芯片封裝后的測試等。
普賽斯儀表開發(fā)的半導體分立器件I-V特性測試方案，由一臺或兩臺源精密源測量單元（SMU）、夾具或探針臺、上位機軟件構成。以三端口MOSFET器件為例，配套以下設備：
兩臺S型數(shù)字源表
四根三同軸電纜
夾具或帶有三同軸接口的探針臺
三同軸T型頭
需要測試的參數(shù)：
輸出特性曲線
轉移特性曲線
跨導 gm
擊穿電壓 BVDS
需要儀器列表：
SMU 源表
探針臺或夾具
普賽斯上位機軟件
高校相關專業(yè)
測控，微電子
電氣，自動化，機械
所有開設模擬電路課程的專業(yè)
有關半導體場效應晶體管特性IV特性測試實驗平臺的更多信息請咨詢一八一四零六六三四七六
