設(shè)備頻率可根據(jù)用戶所加工工件要求，一般為15-35KHz,，速度比可控硅中頻快1/3。

采用IGBT器件，不要老式可控硅，效率比可控硅中頻提高30%-40%，節(jié)電30%-40%。

本設(shè)備為串聯(lián)諧振電路拓撲，感應(yīng)器為隔離懸浮電壓，安全；而可控硅中頻為并聯(lián)諧振，感應(yīng)器為直接電壓500V，如絕緣破損受潮，則有不安全之慮。

本設(shè)備采用PWM控制，占功比調(diào)功，進網(wǎng)側(cè)不用電抗器，不用前級調(diào)功可控硅。對電網(wǎng)和其他設(shè)備影響甚微；而可控硅中頻，用電抗器平波，前級可控硅調(diào)功，諧波嚴重， 對電網(wǎng)和同網(wǎng)設(shè)備有較嚴重諧波干擾。

本設(shè)備設(shè)有全面的閉環(huán)保護，保護速度為納秒級：（1/秒級）保證本設(shè)備主電路正常工作，主器件不損壞，可控硅式中頻則常常燒壞昂貴的快速熔斷器及可控硅。

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