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等離子體處理裝置、等離子體處理方法和存儲介質(zhì) |
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| 本發(fā)明提供一種等離子體處理裝置和等離子體處理方法。在陽極電極和處理容器之間設(shè)置有阻抗調(diào)整部的等離子體處理裝置中，能夠容易并適當(dāng)?shù)卣{(diào)整阻抗調(diào)整部的阻抗，從而抑制異常放電。該等離子體處理裝置具有：偏壓用的高頻電源；阻抗調(diào)整部；測定上述阻抗調(diào)整部的電壓的電壓測定部；位于上述阻抗調(diào)整部和電壓測定部之間的帶通濾波器；和當(dāng)?shù)入x子體產(chǎn)生時使上述阻抗調(diào)整部的阻抗值發(fā)生改變，同時取得由上述電壓測定部測定的電壓值，根據(jù)該電壓值，計(jì)算流入上述陽極電極的電流值，以使該電流值成為最大值或其附近的方式設(shè)定上述阻抗調(diào)整部的阻抗值的控制部。 |
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等離子體處理裝置、等離子體處理方法和存儲介質(zhì)
一種等離子體處理裝置，其具有：在處理容器內(nèi)與該處理容器絕緣，且通過匹配電路與輸出產(chǎn)生等離子體用的高頻的高頻電源連接的陰極電極；和與該陰極電極相對地設(shè)置且通過絕緣體與所述處理容器絕緣的陽極電極，該等離子體處理裝置為在所述陰極電極和所述陽極電極中的一個電極上載置有基板，且利用高頻電力使處理氣體等離子體化并利用該等離子體對基板進(jìn)行等離子體處理的平行平板型的等離子體處理裝置，其特征在于，具有： 在產(chǎn)生等離子體時，在載置基板一側(cè)的電極上施加比產(chǎn)生等離子體用的高頻的頻率低的偏壓用的高頻的偏壓用的高頻電源； 一端側(cè)與所述陽極電極連接且另一端側(cè)與所述處理容器連接，并用于控制從陰極電極經(jīng)等離子體、陽極電極和處理容器的壁部到所述匹配電路的接地筐體的阻抗值的阻抗調(diào)整部； 測定所述阻抗調(diào)整部的電壓的電壓測定部； 位于所述阻抗調(diào)整部和電壓測定部之間，且當(dāng)令在阻抗調(diào)整部的電壓，產(chǎn)生等離子體用的高頻的頻率為ｆ１，偏壓用的高頻的頻率為ｆ２時，將ｆ１作為通過頻帶，ｆ１－ｆ２和ｆ１＋ｆ２作為衰減頻帶的帶通濾波器；和 當(dāng)?shù)入x子體產(chǎn)生時使所述阻抗調(diào)整部的阻抗值發(fā)生改變，同時取得由所述電壓測定部測定的電壓值，根據(jù)該電壓值，計(jì)算流入所述陽極電極的電流值，以使該電流值成為最大值或其附近的方式設(shè)定所述阻抗調(diào)整部的阻抗值的控制部。
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| 專利號: |
200810087850 |
| 申請日: |
2008年3月26日 |
| 公開/公告日: |
2008年10月1日 |
| 授權(quán)公告日: |
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| 申請人/專利權(quán)人: |
東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 國家/省市: |
日本(JP) |
| 郵編: |
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| 發(fā)明/設(shè)計(jì)人: |
東條利洋、齊藤均、佐藤亮 |
| 代理人: |
劉春成 |
| 專利代理機(jī)構(gòu): |
北京紀(jì)凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司(11245) |
| 專利代理機(jī)構(gòu)地址: |
北京市西城區(qū)宣武門西大街甲129號金隅大廈602室(100031) |
| 專利類型: |
發(fā)明 |
| 公開號: |
101277579 |
| 公告日: |
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| 授權(quán)日: |
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| 公告號: |
000000000 |
| 優(yōu)先權(quán): |
日本2007年3月27日2007-082563 |
| 審批歷史: |
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| 附圖數(shù): |
13 |
| 頁數(shù): |
16 |
| 權(quán)利要求項(xiàng)數(shù): |
4 |
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