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專利號:200810091491
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等離子體處理裝置和高頻電流的短路電路

本發明提供一種能夠減小支承下部電極或上部電極中的至少一方的接地基板和收容容器的內壁之間的電位差的等離子體處理裝置。等離子體處理裝置(10)包括:收容玻璃基板(G)的腔室(11);配置在該腔室(11)內、作為載置玻璃基板(G)的載置臺的下部電極(23);與該下部電極(23)相對配置且向腔室(11)內供給處理氣體的噴淋頭(12);與該噴淋頭(12)的上部電極板(13)連接的高頻電源(20);隔著下部絕緣部(25)支承下部電極板(23),并且與腔室(11)的內壁分離配置的接地基板(26);和使該接地基板(26)與腔室(11)的內壁短路的短路板(36),其中,在該短路板(36)和腔室(11)的內壁之間插入有電容器(37),該電容器(37)設置在腔室(11)的內壁。

等離子體處理裝置和高頻電流的短路電路

一種等離子體處理裝置,其特征在于,包括:    收容基板的收容容器;配置在該收容容器內、作為載置所述基板的載置臺的下部電極;與該下部電極相對配置且向所述收容容器內供給處理氣體的上部電極;與所述下部電極或所述上部電極中的至少一方連接的高頻電源;隔著絕緣部支承所述下部電極或所述上部電極中的至少一方,并且與所述收容容器的壁分離配置的接地基板;和使該接地基板與所述收容容器的壁短路的短路板,其中,    在所述短路板和所述收容容器的壁之間插入有電容器,該電容器設置在所述收容容器的壁。
 


  
專利號: 200810091491
申請日: 2008年4月17日
公開/公告日: 2008年10月22日
授權公告日:
申請人/專利權人: 東京毅力科創株式會社
國家/省市: 日本(JP)
郵編:
發明/設計人: 佐佐木和男、中村充一
代理人: 龍淳
專利代理機構: 北京紀凱知識產權代理有限公司(11245)
專利代理機構地址: 北京市西城區宣武門西大街甲129號金隅大廈602室(100031)
專利類型: 發明
公開號: 101290869
公告日:
授權日:
公告號: 000000000
優先權: 日本2007年4月17日2007-108421
審批歷史:
附圖數: 6
頁數: 15
權利要求項數: 3
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