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| 本發(fā)明屬于金屬材料領域，提供了一種鋁碳化硅復合材料（ＳｉＣ↓［ｐ］／Ａｌ）用作封裝外殼和蓋板時的密封封蓋方法。適用于微電子封裝中混合集成電路、毫米波／微米波集成電路、多芯片組件等微電子器件的封裝外殼。本發(fā)明首先在ＳｉＣ↓［ｐ］／Ａｌ復合材料表面進行雙層鍍覆；再將具有表面鍍層的ＳｉＣ↓［ｐ］／Ａｌ復合材料外殼與蓋板用Ｓｎ基焊料焊接在一起。本發(fā)明不僅大大降低了生產成本，同時還解決ＳｉＣ↓［ｐ］／Ａｌ復合材料封接困難問題，為有關金屬外殼廠廣泛使用ＳｉＣ↓［ｐ］／Ａｌ復合材料作為外殼和蓋板材料鋪平道路。 |
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一種鋁碳化硅封裝外殼的封接方法
一種鋁碳化硅封裝外殼的封接方法，其特征是工藝步驟如下： （１）首先在ＳｉＣ↓［ｐ］／Ａｌ復合材料表面直接化學鍍Ｎｉ（Ｐ）合金，其中Ｎｉ（Ｐ）鍍層的Ｐ質量百分含量為２％～１２％，余量為Ｎｉ，Ｎｉ（Ｐ）鍍層厚度為１．０～９．０μｍ； （２）在鍍Ｎｉ（Ｐ）合金后的表面化學鍍Ｎｉ（Ｂ）合金，其中Ｎｉ（Ｂ）鍍層的Ｂ質量百分含量為０．５％～４％，余量為Ｎｉ，其厚度為０．１～８．０μｍ； （３）將Ｎｉ（Ｐ）／Ｎｉ（Ｂ）雙鍍層結構的ＳｉＣ↓［ｐ］／Ａｌ復合材料用Ｓｎ－Ａｇ－Ｎｉ焊料釬焊，ＳｉＣ↓［ｐ］／Ａｌ復合材料外殼與蓋板焊接表面是Ｎｉ（Ｐ）／Ｎｉ（Ｂ）雙鍍層結中間是用Ｓｎ－Ａｇ－Ｎｉ焊料；工藝焊接條件如下：真空度為１×１０↑［－３］Ｐａ，焊接溫度為２４０～２９０℃，焊接時間為２～３０分鐘。
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| 專利號: |
200810114098 |
| 申請日: |
2008年5月30日 |
| 公開/公告日: |
2008年10月29日 |
| 授權公告日: |
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| 申請人/專利權人: |
北京科技大學 |
| 國家/省市: |
北京(11) |
| 郵編: |
100083 |
| 發(fā)明/設計人: |
吳茂、何新波、曲選輝、孟菲菲、任淑彬 |
| 代理人: |
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| 專利代理機構: |
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| 專利代理機構地址: |
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| 專利類型: |
發(fā)明 |
| 公開號: |
101293294 |
| 公告日: |
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| 授權日: |
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| 公告號: |
000000000 |
| 優(yōu)先權: |
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| 審批歷史: |
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| 附圖數(shù): |
2 |
| 頁數(shù): |
4 |
| 權利要求項數(shù): |
1 |
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